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dc.contributor.authorJulio Mass Varela; Universidad del Norte
dc.coverage.spatialColombia
dc.date.accessioned2013-08-31T23:10:20Z
dc.date.available2013-08-31T23:10:20Z
dc.date.issued2011-07-21
dc.identifier.otherhttp://rcientificas.uninorte.edu.co/index.php/ingenieria/article/view/2207
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10584/3994
dc.descriptionEl efecto túnel o filtración cuántica en diversos materiales se mide utilizando cantidades probabilísticas asignadas a un coeficiente de transmisión y a un coeficiente de reflexión de la partícula cargada para atravesar o reflejarse en una barrera de potencial de energía mayor. El método de aproximación W.KB. (Wentzel, Kramers y Brilloin) es útil para calcular estos coeficientes y nos permite determinar expresiones para diferentes perfiles de potencial, tales como las barreras rectangulares, triangulares y trapezoidales. El efecto túnel es un fenómeno muy importante en los dispositivos semiconductores porque ayuda a entender y determinar propiedades eléctricas en estos materiales. La respuesta del comportamiento de un semiconductor P-N a campos eléctricos intensos produce el fenómeno de ruptura Zener, que es una filtración cuántica de banda a banda. Se analiza el comportamiento para diferentes campos a tres materiales semiconductores: InAs, GaAs y AlAs.
dc.formatapplication/pdf
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad del Norte
dc.relation.ispartofRevista Científica Ingeniería y Desarrollo; No 5 (1999): Enero - Junio; 27-32
dc.sourceinstname:Universidad del Norte
dc.sourcereponame:Repositorio Digital de la Universidad del Norte
dc.titleEfecto túnel en semiconductores sometidos a campos eléctricos intensos
dc.typearticle
dc.rights.accessRightsopenAccess
dc.type.hasVersionpublishedVersion


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