Modulación de las propiedades estructurales y electrónicas con la concentración de Indio en la aleación Sc1-xInxP

Abstract

En el presente trabajo se hace un estudio pionero de las propiedades estructurales y electrónicas del compuesto ternario Sc1-xInxP. Resulta interesante su estudio ya que sus parámetros estructurales y sus propiedades electrónicas se pueden modular variando la concentración de In, desde 0% hasta 100%. Se han realizado cálculos de primeros principios para determinar sus propiedades en las fases zincblenda y NaCl, utilizando la teoría del Funcional Densidad (DFT), y el método de ondas planas aumentadas y linealizadas con potencial completo (FP-LAPW). Para representar los efectos de intercambio y correlación se ha empleado las aproximaciones de densidad local (LDA) y de gradiente generalizado (GGA). La estabilidad de las fases se analiza mediante las curvas de energía total en función del volumen por fórmula unidad, se determina el volumen de equilibrio, el módulo de volumen, la densidad de estados y la estructura de las bandas en el volumen de equilibrio.