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dc.contributor.advisorGonzález Hernández, Rafael Julián, dir.
dc.contributor.authorHerazo Cortés, Luis Carlos
dc.date.accessioned2013-11-26T23:14:48Z
dc.date.available2013-11-26T23:14:48Z
dc.date.issued2013-11-26
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10584/5276
dc.descriptionTesis (Magister en Física Aplicada) -- Universidad del Norte. Programa de Maestría en Física Aplicada, 2011.es_ES
dc.description.abstractSe ha realizado un estudio de las propiedades estructurales y electrónicas en el volumen de los compuestos binarios Fosfuro de Estroncio (SrP), Fosfuro de Bario (BaP) y Fosfuro de Radio (Rap), basados en la Teoría del Funcional Densidad. Para resolver las ecuaciones de Kohn-Sham, se utilizó el método de ondas planas aumentadas y linealizadas con potencial completo (FP-LAPW) como está implementado en el paquete numérico wien2k. Se determinaron los efectos de intercambio y correlación mediante la Aproximación de Densidad Local (LDA) y la Aproximación de Gradiente Generalizado (GGA), ésta con los potenciales Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) y Wu-Cohen. Se estudiaron las propiedades de conducción a partir de la estructura de bandas y densidad de estados considerando las fases de cristalización Cloruro de Cesio, Cloruro de Sodio, wurtzita, zinc blenda y arseniuro de Níquel.es_ES
dc.formatapplication/pdfes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.subjectFisicoquímicaes_ES
dc.titleEstabilidad estructural y comportamiento electrónico de los compuestos SrP, BaP y RaPes_ES
dc.typemasterThesises_ES
dc.rights.accessRightsopenAccesses_ES
dc.type.hasVersionacceptedVersiones_ES
dc.publisher.programMaestría en Física Aplicadaes_ES
dc.publisher.departmentCiencias Básicases_ES
dc.creator.degreeMagíster en Física Aplicadaes_ES


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