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dc.contributor.advisorGonzález Hernández, Rafael Julián
dc.contributor.authorCastaño González, Edgar Enrique
dc.date.accessioned2018-05-31T21:54:17Z
dc.date.available2018-05-31T21:54:17Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10584/7945
dc.descriptionEl Antimoniuro de Galio (GaSb), es un compuesto binario que ha generado un alto interés en la comunidad científica en las recientes décadas por su gran potencial de aplicación en dispositivos electrónicos. Así, el conocimiento de las propiedades estructurales, electrónicas, físicas y químicas de este tipo de compuestos juega un rol importante en el diseño y fabricación de diferentes dispositivos que promueven nuevas tecnologías [1,2]. En esta tesis de maestría se estudiaron las propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas del compuesto binario semiconductor Antimoniuro de Galio dopado con Mn (Mn(Ga+,(Sb) en diferentes concentraciones de dopante: 𝑥 = 0.062, 0.083, 0.125, 0.25 y 0.50. El estudio teórico fue llevado a cabo usando la Teoría Funcional de la Densidad (DFT- Density Functional Theory) dentro del método Pseudo-potencial de ondas planas para calcular energías totales y estructuras electrónicas. La presente investigación inicia con la caracterización estructural del compuesto binario GaSb. Posteriormente, se determinó el comportamiento electrónico del semiconductor magnético diluido GaSb:Mn a partir del análisis de la estructura de bandas y la densidad de estados parcial y total encontrándose que el ferromagnetismo semimetálico es energéticamente estable para todas las concentraciones de dopante con una magnetización total de aproximadamente 4,0 μ=/Mn-átomo. Finalmente, se analizó el comportamiento magnético del GaSb:Mn por medio de cálculos de energías de formación y momento magnético total (MMT) en condiciones de crecimiento ricas en Ga y Sb para diferentes concentraciones lográndose determinar que el átomo de Mn es el principal contribuyente al momento magnético total, y además que la polarización de espín Mn magnetiza p-ion estados de la vecindad de Sb por medio del mecanismo de hibridación p-d.es_ES
dc.formatapplication/pdfes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad del Nortees_ES
dc.subjectSemiconductoreses_ES
dc.subjectFísica matemáticaes_ES
dc.titleEstudio teórico de las propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas del compuesto semiconductor GaSb dopado con Mnes_ES
dc.typemasterThesises_ES
dc.rights.accessRightsopenAccesses_ES
dc.type.hasVersionacceptedVersiones_ES
dc.publisher.programMaestría en Física Aplicadaes_ES
dc.publisher.departmentFísica y Geocienciases_ES
dc.creator.degreeMagíster en Física Aplicadaes_ES


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