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Estudio DFT de la variación de las propiedades estructurales y electrónicas del compuesto GaP: Sc.
| dc.contributor.advisor | González Hernández, Rafael Julián | |
| dc.contributor.author | Celín Mancera, William Enrique | |
| dc.date.accessioned | 2019-10-03T22:36:42Z | |
| dc.date.available | 2019-10-03T22:36:42Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10584/8651 | |
| dc.description | En el presente trabajo se realizo un estudio teórico de las propiedades estructurales y electrónicas del compuesto ternario Sc1-xGaxP, y sus posibles aplicaciones en el diseño de dispositivos para optoelectrónica. En la primera parte, se realizaron cálculos estructurales del compuesto en las fases ZnS y NaCl, mediante el método de Ondas Planas Aumentadas y Linealizadas (FP-LAPW), en el marco de la Teoría del Funcional Densidad (DFT). La estabilidad estructural de las fases consideradas se analizó mediante cálculos de energía total en función del volumen. Posteriormente, se realizo un estudio detallado de las propiedades electrónicas del compuesto ternario Sc1-xGaxP, a partir de las graficas de densidad de estados parcial y total, y de la estructura de las bandas en el volumen de equilibrio. Se encontró que para la concentración de 0% de Sc, la fase energéticamente más estable es la fase ZnS, mientras que para la concentración de 100% la estabilidad se presenta en la fase NaCl. Se observo además, que la estabilidad relativa entre las fases ZnS y NaCl se invierte para una concentración de 25% de Sc. Por otro lado, se encontró que la fase ZnS tiene un comportamiento de semiconductor directo para composiciones inferiores e iguales al 25% de Sc, lo cual indica que este material puede ser usado para futuras aplicaciones en el campo de la optoelectrónica. | es_ES |
| dc.format | application/pdf | es_ES |
| dc.language.iso | spa | es_ES |
| dc.publisher | Universidad del Norte | es_ES |
| dc.subject | Fisicoquímica | es_ES |
| dc.title | Estudio DFT de la variación de las propiedades estructurales y electrónicas del compuesto GaP: Sc. | es_ES |
| dc.type | masterThesis | es_ES |
| dc.rights.accessRights | openAccess | es_ES |
| dc.type.hasVersion | acceptedVersion | es_ES |
| dc.publisher.program | Maestría en Física Aplicada | es_ES |
| dc.publisher.department | Departamento de Física y Geociencias | es_ES |
| dc.creator.degree | Magíster en Física Aplicada | es_ES |